滾磨、切割、研磨、拋光切片前先將硅單晶棒研磨成具有確定直徑的單晶棒,再沿單晶棒的晶軸方向研磨出主、次參考面,用氫氟酸、硝酸和冰醋酸的混合液腐蝕研磨面,稱為減徑腐蝕。
      切片,把硅單晶棒切成所需外形的硅片(如圓片)的工藝。切割分外圓切割、超聲切割、電子束切割和普遍采用的內(nèi)圓切割等。
      在研磨機(jī)上,用白剛玉或金剛砂等配制的研磨液將硅片研磨成具有一定厚度和光潔度的工藝。有單面研磨和雙面研磨兩種方式。
      為了制備合乎器件和集成電路制作要求的硅片表面,必須進(jìn)行拋光,以除往殘留的損傷層并獲得一定厚度的高平整度的鏡面硅片。拋光分機(jī)械拋光、化學(xué)拋光、電子束拋光、離子束拋光,較普遍采用的是化學(xué)機(jī)械拋光?；瘜W(xué)機(jī)械拋光是化學(xué)腐蝕和機(jī)械磨削同時(shí)進(jìn)行,分為銅離子拋光、鉻離子拋光和普遍采用的二氧化硅膠體拋光。二氧化硅膠體拋光是由極細(xì)的二氧化硅粉、氫氧化鈉(或有機(jī)堿)和水配制成膠體拋光液。在拋光過程中,氫氧化鈉與硅表面反應(yīng)天生硅酸鈉,通過與二氧化硅膠體的磨削,硅酸鈉進(jìn)進(jìn)拋光液,兩個(gè)過程不停頓地同時(shí)進(jìn)行而達(dá)到拋光的目的。根據(jù)不同要求,可用一次拋光、二次拋光(粗拋光和精拋光)或三次拋光(粗拋光、中間拋光和精拋光)。為滿足超大規(guī)模集成電路對表面質(zhì)量和平整度的要求,已有無蠟拋光和無磨料拋光等新工藝。